La memoria de acceso aleatorio (en inglés: random-access memory, cuyo acrónimo es RAM) es la memoria desde donde el procesador recibe las instrucciones y guarda los resultados
Latencia de memorias
Se denominan latencias de una memoria RAM a los diferentes retardos producidos en el acceso a los distintos componentes de esta última. Estos retardos influyen en el tiempo de acceso de la memoria por parte de la CPU, el cual se mide en nanosegundos (10-9 s) .
Resulta de particular interés en el mundo del overclocking el poder ajustar estos valores de manera de obtener el menor tiempo de acceso posible
Estructura física de la memoria
La memoria volátil de una computadora, contrario a memoria no volátil, es aquella memoria cuya información se pierde al interrumpirse el flujo de corriente eléctrica.
MODULOS MEMORIA RAM
MODULO DE MEMORIA SIPP:
SIPP es el acrónimo inglés de Single In-line Pin Package (Paquete de Pines en Línea Simple) y consiste en un circuito impreso (también llamado módulo) en el que se montan varios chips dememoria RAM, con una disposición de pines correlativa (de ahí su nombre). Tiene un total de 30 pines a lo largo del borde del circuito, que encajan con las ranuras o bancos de conexión de memoria de la placa base del ordenador, y proporcionan 4 bits por módulo. Se usó en sistemas80286 y ha sido reemplazada por la SIMM, que es más fácil de instalar y proporciona 16 bits por módulo
-Modulo de memoria SIMM de 72 pines con tecnología EDO RAM:
Este modulo de memoria es superior en tamaño al SIMM de 30 pines. Normalmente trabaja con una capacidad para el almacenamiento y lectura de datos de 32 bits. Lo característico de este modulo de memoria es que permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores están saliendo (Extended Data Output) lo que mejora notablemente su velocidad.
-Modulo de memoria DIMM de 168 pines con tecnología SDRAM:
DIMM es una palabra reducida del idioma ingles que expresa Dual in Line Memory Module o modulo de memoria de doble línea. Este generalmente trabaja con una capacidad para el almacenamiento y lectura de datos de 64 bits. La palabra SDRAM significa que es un tipo de memoria RAM que trabaja con refrescos de datos y de manera sincronizada con la velocidad de Bus la tarjeta electrónica principal del computador (66 MHz, 100 MHz, 133 MHz), lo que en otras palabras se podría expresar como una memoria de velocidades de 7.5 nano segundos ( 133 MHz) a 10 nano segundos (100 MHz).
RIMM, acrónimo de Rambus Inline Memory Module(Módulo de Memoria en Línea Rambus), designa a los módulos de memoria RAM que utilizan una tecnología denominada RDRAM, desarrollada por Rambus Inc. a mediados de los años 1990 con el fin de introducir un módulo de memoria con niveles de rendimiento muy superiores a los módulos de memoria SDRAM de 100 Mhz y 133 Mhz disponibles en aquellos años.
Los módulos RIMM RDRAM cuentan con 184 pines y debido a sus altas frecuencias de trabajo requieren de difusores de calor consistentes en una placa metálica que recubre los chips del módulo. Se basan en un bus de datos de 16 bits y están disponibles en velocidades de 300MHz (PC-600), 356 Mhz (PC-700), 400 Mhz (PC-800) y 533 Mhz (PC-1066) que por su pobre bus de 16 bits tenía un rendimiento 4 veces menor que la DDR. La RIMM de 533MHz tiene un rendimiento similar al de un módulo DDR133, a pesar de que sus latencias son 10 veces peores que la DDR.
MODULOS RAM PARA PORTATILES
-MICRO DIMM
El módulo de memoria Micro-DIMM DDR266 de A-DATA es un módulo de 172 terminales con un voltaje operativo de 2,5V que utiliza el tamaño TSOP y FBGA. Este producto de memoria de alta calidad está disponible en 16 ó´versiones de 256MB y 512MB, con opciones de configuración de 32 8.´64 El uso de tallas BGA hace posible reducir el área de contacto de la bola entre el núcleo del IC y la placa base; reduce la temperatura de funcionamiento de alta frecuencia y el ruido de datos, y ayuda a mejorar la estabilidad general de la memoria, haciendo estos módulos perfectos para portátiles ligeros y compactos. El módulo de memoria Micro-DIMM DDR266 de A-DATA mejora la fiabilidad y durabilidad del portátil y ayuda a reducir el riesgo de daños derivados de errores humanos
SIPP es el acrónimo inglés de Single In-line Pin Package (Paquete de Pines en Línea Simple) y consiste en un circuito impreso (también llamado módulo) en el que se montan varios chips dememoria RAM, con una disposición de pines correlativa (de ahí su nombre). Tiene un total de 30 pines a lo largo del borde del circuito, que encajan con las ranuras o bancos de conexión de memoria de la placa base del ordenador, y proporcionan 4 bits por módulo. Se usó en sistemas80286 y ha sido reemplazada por la SIMM, que es más fácil de instalar y proporciona 16 bits por módulo
-Modulo de memoria SIMM de 72 pines con tecnología EDO RAM:
Este modulo de memoria es superior en tamaño al SIMM de 30 pines. Normalmente trabaja con una capacidad para el almacenamiento y lectura de datos de 32 bits. Lo característico de este modulo de memoria es que permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores están saliendo (Extended Data Output) lo que mejora notablemente su velocidad.
-Modulo de memoria DIMM de 168 pines con tecnología SDRAM:
DIMM es una palabra reducida del idioma ingles que expresa Dual in Line Memory Module o modulo de memoria de doble línea. Este generalmente trabaja con una capacidad para el almacenamiento y lectura de datos de 64 bits. La palabra SDRAM significa que es un tipo de memoria RAM que trabaja con refrescos de datos y de manera sincronizada con la velocidad de Bus la tarjeta electrónica principal del computador (66 MHz, 100 MHz, 133 MHz), lo que en otras palabras se podría expresar como una memoria de velocidades de 7.5 nano segundos ( 133 MHz) a 10 nano segundos (100 MHz).
RIMM, acrónimo de Rambus Inline Memory Module(Módulo de Memoria en Línea Rambus), designa a los módulos de memoria RAM que utilizan una tecnología denominada RDRAM, desarrollada por Rambus Inc. a mediados de los años 1990 con el fin de introducir un módulo de memoria con niveles de rendimiento muy superiores a los módulos de memoria SDRAM de 100 Mhz y 133 Mhz disponibles en aquellos años.
Los módulos RIMM RDRAM cuentan con 184 pines y debido a sus altas frecuencias de trabajo requieren de difusores de calor consistentes en una placa metálica que recubre los chips del módulo. Se basan en un bus de datos de 16 bits y están disponibles en velocidades de 300MHz (PC-600), 356 Mhz (PC-700), 400 Mhz (PC-800) y 533 Mhz (PC-1066) que por su pobre bus de 16 bits tenía un rendimiento 4 veces menor que la DDR. La RIMM de 533MHz tiene un rendimiento similar al de un módulo DDR133, a pesar de que sus latencias son 10 veces peores que la DDR.
MODULOS RAM PARA PORTATILES
-SO-DIMM
Los módulos SO-DIMM tienen 100, 144 o 200 pines. Los de 100 pines soporta transferencias de datos de 32 bits, mientras que los de 144 y 200 lo hacen a 64 bits. Estas últimas se comparan con los DIMMs de 168 pines (que también realizan transferencias de 64 bits). A simple vista se diferencian porque las de 100 tienen 2 hendiduras guía, las de 144 una sola hendidura casi en el centro y las de 200 una hendidura parecida a la de 144 pero más desplazada hacia un extremo.
Los SO-DIMM tienen más o menos las mismas características en voltaje y potencia que las DIMM corrientes, utilizando además los mismos avances en la tecnología de memorias (por ejemplo existen DIMM y SO-DIMM con memoria PC2-5300(DDR2.533/667) con capacidades de hasta 2 GB yLatencia CAS (de 2.0, 2.5 y 3.0).
Los módulos SO-DIMM tienen 100, 144 o 200 pines. Los de 100 pines soporta transferencias de datos de 32 bits, mientras que los de 144 y 200 lo hacen a 64 bits. Estas últimas se comparan con los DIMMs de 168 pines (que también realizan transferencias de 64 bits). A simple vista se diferencian porque las de 100 tienen 2 hendiduras guía, las de 144 una sola hendidura casi en el centro y las de 200 una hendidura parecida a la de 144 pero más desplazada hacia un extremo.
Los SO-DIMM tienen más o menos las mismas características en voltaje y potencia que las DIMM corrientes, utilizando además los mismos avances en la tecnología de memorias (por ejemplo existen DIMM y SO-DIMM con memoria PC2-5300(DDR2.533/667) con capacidades de hasta 2 GB yLatencia CAS (de 2.0, 2.5 y 3.0).
-MICRO DIMM
El módulo de memoria Micro-DIMM DDR266 de A-DATA es un módulo de 172 terminales con un voltaje operativo de 2,5V que utiliza el tamaño TSOP y FBGA. Este producto de memoria de alta calidad está disponible en 16 ó´versiones de 256MB y 512MB, con opciones de configuración de 32 8.´64 El uso de tallas BGA hace posible reducir el área de contacto de la bola entre el núcleo del IC y la placa base; reduce la temperatura de funcionamiento de alta frecuencia y el ruido de datos, y ayuda a mejorar la estabilidad general de la memoria, haciendo estos módulos perfectos para portátiles ligeros y compactos. El módulo de memoria Micro-DIMM DDR266 de A-DATA mejora la fiabilidad y durabilidad del portátil y ayuda a reducir el riesgo de daños derivados de errores humanos
La memoria está compuesta por un determinado número de celdas, capaces de almacenar un dato o una instrucción y colocadas en forma de tablero de ajedrez. En lugar de tener 64 posibles posiciones donde colocar piezas, tienen n posiciones. No solo existe un "tablero" sino que existen varios, de esta forma la estructura queda en forma de tablero de ajedrez tridimensional
. 
MEMORIAS ASINCRONAS
DRAM (Dynamic Random Access Memory) es un tipo de memoria dinámica de acceso aleatorio que se usa principalmente en los módulos de memoria RAM y en otros dispositivos, como memoria principal del sistema. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo de refresco. Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican integrados con millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por segundo. Es una memoria volátil, es decir cuando no hay alimentación eléctrica, la memoria no guarda la información. Inventada a finales de los sesenta, es una de las memorias más usadas en la actualidad
FPM-RAM (Fast Page Mode RAM) se basa en que se supone que el siguiente acceso a un dato de memoria va a ser en la misma fila que el anterior, con lo que se ahorra tiempo en ese caso. El acceso mas rápido de la FPM RAM es de 5-3-3-3 ciclos de reloj para la lectura a ráfagas de cuatro datos (Byte/Word/Dword) consecutivos.
EDO RAM
Llamada también EDO DRAM o Standard EDO, es un tipo particular de RAM que fue diseñada para superar la velocidad de acceso de la memoria DRAM.
BEDO RAM
BEDO RAM
Algunas veces llamada Burst EDO RAM, fue un tipo de EDORAM capaz de trabajar con CPUs que tenian una velocidad de bus de 66 MHz, o menor.
MEMORIAS SINCRONAS
SDR SDRAM
(Single Data Rate SDRAM) maneja palabras binarias de 64
bits y el acceso opera sincronizadamente con el flanco ascendente de cada pulso del reloj del microprocesador. Funciona con 3.3 voltios. El modulo tiene 168 contactos y dos muescas en el borde, de modo que no se pueda insertar en sentido equivocado ni en otra ranura que no le corresponda.
bits y el acceso opera sincronizadamente con el flanco ascendente de cada pulso del reloj del microprocesador. Funciona con 3.3 voltios. El modulo tiene 168 contactos y dos muescas en el borde, de modo que no se pueda insertar en sentido equivocado ni en otra ranura que no le corresponda.
PC66- refiere a la computadora desprendible interna memoria estándar definido por JEDEC. PC66 es COPITA síncrona funcionando en una frecuencia de reloj de 66 megaciclos, en un autobús 64-bit, en un voltaje de 3.3 V. PC66 está disponible en el perno 168 DIMM y perno 144 SO-DIMM forme los factores. Esta memoria funciona en un rendimiento de procesamiento teórico de 533 MB/s.
Este estándar fue utilizado cerca Pentium de Intel y AMD K6- PC basadas. Él también características en el amarillento Mac G3 de la energía, temprano iBooks y PowerBook G3s. También se utiliza en muchos temprano Intel Celeron sistemas con 66 megaciclos FSB.
Este estándar fue utilizado cerca Pentium de Intel y AMD K6- PC basadas. Él también características en el amarillento Mac G3 de la energía, temprano iBooks y PowerBook G3s. También se utiliza en muchos temprano Intel Celeron sistemas con 66 megaciclos FSB.
PC100- es un estándar para la computadora desprendible interna memoria de acceso al azar, definido por Consejo común de la ingeniería del dispositivo del electrón (JEDEC). PC100 se refiere COPITA síncrona funcionando en una frecuencia de reloj de 100 megaciclos, en un autobús 64-bit, en un voltaje de 3.3 V. PC100 está disponible en el perno 168 DIMM y perno 144 SO-DIMM forme los factores. PC100 es al revés - compatible con PC66
PC133- es un estándar de la memoria de computadora definido por JEDEC. PC133 se refiere COPITA síncrona funcionando en una frecuencia de reloj de 133 megaciclos, en un autobús pedacito-ancho 64, en un voltaje de 3.3 V. PC133 está disponible en el perno 168 DIMM y perno 144 SO-DIMM forme los factores. PC133 era el estándar más rápido y final de SDRAM aprobado siempre por el JEDEC, y entrega una anchura de banda de MB 1064 por segundo ([133 megaciclos * 64/8] =1064 MB/s). PC133 es al revés - compatible con PC100.
DDR SDRAM- (memoria de acceso al azar dinámica síncrona doble de la tarifa de datos) es una clase de la memoria circuito integrado utilizado adentro computadoras. Alcanza casi dos veces anchura de banda de preceder [sola tarifa de datos] SDRAM por bombeo doble (datos de transferencia sobre los bordes de levantamiento y que caen del señal del reloj) sin el aumento de la frecuencia de reloj.
PC 1600 ó DDR200: funciona a 2.5 V, trabaja a 200MHz, es decir 100MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 1,6 GB/s (de ahí el nombre PC1600). Este tipo de memoria la utilizaron los Athlon XP de AMD, y los primeros Pentium 4.
PC 2100 ó DDR266: funciona a 2.5 V, trabaja a 266MHz, es decir 133MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 2,1 GB/s (de ahí el nombre PC2100).
PC 2700 ó DDR333: funciona a 2.5 V, trabaja a 333MHz, es decir 166MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 2,7 GB/s (de ahí el nombre PC2700).
PC 3200 ó DDR400: funciona a 2.5V, trabaja a 400MHz, es decir, 200MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 3,2 GB/s (de ahí el nombre PC3200).
PC-4200 ó DDR2-533: trabaja a 533Mhz, es decir, 266 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 4,2 GB/s (de ahí el nombre PC4200).
PC-4800 ó DDR2-600: trabaja a 600Mhz, es decir, 300 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 4,8 GB/s (de ahí el nombre PC4800).
PC-5300 ó DDR2-667: trabaja a 667Mhz, es decir, 333 MHz de bus de memoria y ofrece
tasas de transferencia de hasta 5,3 GB/s (de ahí el nombre PC5300).
PC-6400 ó DDR2-800: trabaja a 800Mhz, es decir, 400 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 6,4 GB/s (de ahí el nombre PC6400)
.DDR3- es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologías de memoria de acceso aleatorio, que es una de las muchas implementaciones de la SDRAM.
El principal beneficio de instalar DDR3 es la habilidad de hacer transferencias de datos cuatro veces más rápido, lo que permite obtener velocidades de transferencia y velocidades de bus más altas que las versiones DDR2 anteriores
El principal beneficio de instalar DDR3 es la habilidad de hacer transferencias de datos cuatro veces más rápido, lo que permite obtener velocidades de transferencia y velocidades de bus más altas que las versiones DDR2 anteriores
RDRAM es un tipo de memoria síncrona, conocida como Rambus DRAM. Éste es un tipo de memoria de siguiente generación a la DRAM en la que se ha rediseñado la DRAM desde la base pensando en cómo se debería integrar en un sistema.
El modo de funcionar de estas memorias es diferente a las DRAM, cambios producidos en una serie de decisiones de diseño que no buscan solo proporcionar un alto ancho de banda, sino que también solucionan los problemas de granularidad y número de pins. Este tipo de memoria se utilizó en el sistema de videojuegos Nintendo 64 de Nintendo y otros aparatos de posterior salida.
XDR DRAM (eXtreme Data Rate Dynamic Random Access Memory) es una implementación de alto desempeño de las DRAM, el sucesor de las memorias Rambus RDRAM y un competidor oficial de las tecnologías DDR2 SDRAM y GDDR4. XDR fue diseñado para ser efectivo en sistemas pequeños y de alto desempeño que necesiten memorias de alto desempeño así como en GPUs de alto rendimiento
XDR2 DRAM de Rambus es una memoria de alto rendimiento y energéticamente eficiente, optimizada para aplicaciones de alto ancho de banda como juegos, gráficos y computadoras de múltiples núcleos. Los dispositivos iniciales (XDR) son capaces de ofrecer transferencias de datos de hasta 9.6Gbps proveyendo 38.4GB/s de ancho de banda en un solo dispositivo de 4 bytes de ancho
El modo de funcionar de estas memorias es diferente a las DRAM, cambios producidos en una serie de decisiones de diseño que no buscan solo proporcionar un alto ancho de banda, sino que también solucionan los problemas de granularidad y número de pins. Este tipo de memoria se utilizó en el sistema de videojuegos Nintendo 64 de Nintendo y otros aparatos de posterior salida.
XDR DRAM (eXtreme Data Rate Dynamic Random Access Memory) es una implementación de alto desempeño de las DRAM, el sucesor de las memorias Rambus RDRAM y un competidor oficial de las tecnologías DDR2 SDRAM y GDDR4. XDR fue diseñado para ser efectivo en sistemas pequeños y de alto desempeño que necesiten memorias de alto desempeño así como en GPUs de alto rendimiento
XDR2 DRAM de Rambus es una memoria de alto rendimiento y energéticamente eficiente, optimizada para aplicaciones de alto ancho de banda como juegos, gráficos y computadoras de múltiples núcleos. Los dispositivos iniciales (XDR) son capaces de ofrecer transferencias de datos de hasta 9.6Gbps proveyendo 38.4GB/s de ancho de banda en un solo dispositivo de 4 bytes de ancho
DRDRAM
(Direct Rambus Dynamic Random Access Memory) es una memoria
de bus de 16 bits que opera a velocidades de reloj de 400 MHz y funciona con ambos flancos ascendente y descendente del pulso del reloj del microprocesador.
de bus de 16 bits que opera a velocidades de reloj de 400 MHz y funciona con ambos flancos ascendente y descendente del pulso del reloj del microprocesador.
SLDRAM EDRAM(Enhanced Dynamic Random Access Memory) es una memoria
RAM que tiene incluida una poca cantidad de memoria SRAM (estatica) dentro del conjunto de la mucha DRAM (dinamica)para mejorar el tiempo de respuesta a la memoria principal. Ocasionalmente se utiliza como memoria cache L1 y L2, y algunas veces se le conoce como DRAM cacheada.}
RAM que tiene incluida una poca cantidad de memoria SRAM (estatica) dentro del conjunto de la mucha DRAM (dinamica)para mejorar el tiempo de respuesta a la memoria principal. Ocasionalmente se utiliza como memoria cache L1 y L2, y algunas veces se le conoce como DRAM cacheada.}
SRAM
(Static Random Access Memory),a diferencia de la memoria RAM dinamica estandar, no requiere ciclos de recarga de las celdas para datos, lo cual
la hace mucho mas rapida que esta, pero requiere cuatro veces mas espacio para guardar una misma cantidad de datos
la hace mucho mas rapida que esta, pero requiere cuatro veces mas espacio para guardar una misma cantidad de datos
Async SRAM o SRAM asíncrona (Asynchronous Static RAM): la antigua caché en los 386, 486 y primeros Pentium, más ráida que la DRAM pero que provoca igualmente estados de espera en el procesador. Su velocidad es de 20 ns, 15 ns 0 12 ns.
Synchronous Burst Static RAM (Sync SRAM):es la mejor para un transporte de 66MHz y puede sincronizar la velocidad de la caché con la velocidad del procesador. Su velocidad es de 8.5 ns a 12 ns
Pipelined Burst Static RAM (PB SRAM): funciona de manera continuada sincronizada con el procesador a velocidades de hasta 133 MHz. Tarda un poco más en cargar los datos que la anterior, pero una vez cargados, el procesador puede acceder a ellos con mayor rapidez. Su velocidad es de 4.5 ns a 8 ns.
ESDRAM
(Enhanced Synchronous Dynamic Random Access Memory) es un reemplazo economico para la SRAM. Con ello, las peticiones de ciertos accesos pueden ser resueltas por esta rápida memoria, aumentando las prestaciones. Se basa en un principio muy similar al de la memoria
cache utilizada en los procesadores. Es la competencia de la DDR SDRAM.
VRAM
(Video Random Access Memory) es una memoria disenada especificamente para ser utilizada en tarjetasde video
SGRAM
(Synchronous Graphic Random Access Memory) es un tipo de DRAM
usado originalmente en tarjetas de video y aceleradoras graficas.
WRAM
(Windows Random Access Memory) es un diseño de memoria de
video que soporta dos puertos, lo que le permite a la tarjeta de video dirigir el contenido de la memoria a la pantalla y almismo tiempo recibir nuevos bytes.
video que soporta dos puertos, lo que le permite a la tarjeta de video dirigir el contenido de la memoria a la pantalla y almismo tiempo recibir nuevos bytes.
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